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IGBT模块
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  • 型号规格
特点
• IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点。
• 具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点。
• 具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。
模块型号命名

电流值:指集中电极直流(连续)电流
内部连线方式:T:桥臂连接;L:低端连接;H:高端连接;D:单管结构 封装形式:A:A-A-pak S:Int-A-pak D:Dual-Int-A-pak
电压量:集电极发射极电压值为:电压量×10(V)
类型:U型:超快速型 K:具有短路能力的超快速(NPT)

型号规格
Part Name VCES Ic@Tc VCE(ON) ICP IGBT Package
  V A@25℃ A@℃ V A Type  
HFGM75D06V1 600 100 75/70 1.9 140 PT V1
HFGM100D06V1 600 130 100/70 2.2 200 PT V1
HFGM150D06V1 600 200 150/70 1.9 350 PT V1
HFGM200D06V2 600 260 200/70 2.2 400 PT V2
HFGM75D06AV1 600 100 75/80 1.5 140 Trench V1
HFGM100D06AV1 600 130 100/80 1.5 200 Trench V1
HFGM150D06AV1 600 210 150/80 1.5 350 Trench V1
HFGM200D06AV1 600 260 200/80 1.5 400 Trench V1
HFGM200D06AV2 600 260 200/80 1.5 400 Trench V2
HFGM300D06AV3 600 360 300/80 1.5 600 Trench V3
HFGM400D06AV3 600 450 400/80 1.5 800 Trench V3
HFGM75D12SV1 1200 100 75/80 2.8 200 NPT V1
HFGM100D12SV1 1200 130 100/70 3.2 200 NPT V1
HFGM150D12SV3 1200 200 150/70 2.8 350 NPT V3
HFGM200D12SV3 1200 260 200/70 3.2 400 NPT V3
HFGM100D12AV1 1200 130 100/80 1.7 200 Trench V1
HFGM150D12AV3 1200 200 150/80 1.7 350 Trench V3
HFGM200D12AV3 1200 260 200/80 1.7 400 Trench V3
HFGM300D12AV3 1200 360 300/80 1.7 600 Trench V3
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